ASML：极紫外EUV光刻满足大批量生产的发展现状与前景【报告说】

导读

极紫外光刻机是7nm和5nm芯片制程工艺所必不可少的设备，目前全球只有ASML能供应。台积电、三星这两大芯片代工商的制程工艺都已提升到了7nm和5nm，他们所需要的极紫外光刻机也全部仰仗于ASML。

本期【报告说】和大家分享一份ASML在2019年关于“极紫外EUV光刻满足大批量生产的发展现状与前景”的发言报告。

本次报告从EUV超过30年发展史引入，即从“下一代光刻技术”到“满足大批量生产”的角色转换。报告中也提到NXE产品的性能现状，包括NXE：3400B以及NXE: 3400C等。

值得一提的是，对于High-NA EUV也有相关的阐述。多重曝光EUV与High NA EUV一直也是备受关注的话题，ASML推出的EUV系统NXE 3400C具有0.33的数值孔径（NA），而其正在研发的high NA EUV则具有0.55NA的透镜，能够实现8nm分辨率。

报告的后段也提到了EUV系统的解构和相关详细的工作原理，以及ASML对EUV系统的性能改善与未来展望。

以下是演讲报告的部分概览：

由于完整版发言报告篇幅过大，如需获取完整版（PDF），在公众号后台回复“报告说”，获取领取方式。

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